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我們所知道的第一代半導體是硅（Si）、鍺（Ge），鍺主要應用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中，但由于耐熱和抗壓行差，后續(xù)被硅材料所取代，現(xiàn)今硅材料主要作為基礎材料來制作電子產品。第二代半導體材料是砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），更新?lián)Q代的材料比第一代的硅擁有更加優(yōu)秀的性能，適合用于大功率、高速等發(fā)光元器件，被廣泛運用于通信領域。

那什么是第三代半導體呢？第三代半導體材料主要是以新興材料碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶的半導體材料。因其擁有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，技術可以實現(xiàn)電子濃度和運動控制，更符合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。例如小米120W快充電源適配器，就是利用了第三代半導體材料氮化鎵（GaN）大功率、高效能量轉化的特點，最快速度可以在20分鐘將手機電量充滿，贏得市場的青睞。

第三代半導體也與綠色低碳、智慧經濟等國家重大戰(zhàn)略要求觀念相符，現(xiàn)在已成為全世界半導體技術和產業(yè)新的關注核心，在國家相關政策的扶持幫助下，我國的第三代半導體產業(yè)已經逐漸形成，不少傳統(tǒng)的半導體企業(yè)都在布局第三代半導體的領域，不斷創(chuàng)新發(fā)展。

值得注意的是，第三代半導體并不是取代了第一、二代半導體材料，它們三者應用在不同領域不同產品上各有各的優(yōu)點，集合在一起又是互補的關系。