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肖特基二極管有怎樣的結(jié)構(gòu)?

肖特基二極管在構(gòu)造原理上與PN結(jié)二極管有很大差異,它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(用鉬或鋁等資料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除資料、N-外延層(砷資料)、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖4-44所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間構(gòu)成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩頭加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時(shí),肖特基勢(shì)壘層變窄,其內(nèi)阻變??;反之,若在肖特基勢(shì)壘兩頭加上反向偏壓時(shí),肖特基勢(shì)壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。

風(fēng)景圖


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