肖特基二極管在構(gòu)造原理上與PN結(jié)二極管有很大差異,它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(用鉬或鋁等資料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除資料、N-外延層(砷資料)、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖4-44所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間構(gòu)成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩頭加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時(shí),肖特基勢(shì)壘層變窄,其內(nèi)阻變??;反之,若在肖特基勢(shì)壘兩頭加上反向偏壓時(shí),肖特基勢(shì)壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。
本文出自:http://www.mohamedadalal.com/,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處
下一篇:免疫磁珠如何分選?